MEMS高稳压力芯片

PSPR-HS

PSPR-HS系列高稳压力传感器芯片是基于压阻效应的MEMS芯片。依托先进的MEMS工艺单片集成压力传感器与温度传感器,长期稳定性<0.05%FS/年。芯片PAD放置于同侧,方便快速进行引线键合工艺。该系列涵盖40kPa~40MPa压力量程,用于绝压/差压/表压测量,适用于汽车、工业等领域。
性能参数 优势特点 应用领域

性能参数


Model压力范围最小值典型值最大值尺寸(mm)满量程温度系数(%FS/K)

PSPR -040k-A/D/G-HS-Gxx

40 kPa40801202.1*2.1(-0.29~-0.25)
PSPR -100k-A/D/G-HS-Gxx100kPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)
PSPR -200k-A/D/G-HS-Gxx200kPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -350k-A/D/G-HS-Gxx

350kPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -700k-A/D/G-HS-Gxx

700kPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -01M0-A/D/G-HS-Gxx

1MPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -01M6-A/D/G-HS-Gxx

1.6MPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -03M5-A/D/G-HS-Gx

3.5MPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -07M0-A-HS-Gxx

7MPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)

PSPR -10M0-A-HS-Gxx

10MPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)
PSPR -40M0-A-HS-Gxx40 MPa601001402.1*2.1(-0.29~-0.25)



Model零偏温度系数(%FS/K)零偏(mV)*压力非线性(%FS)温度迟滞**(%FS)压力迟滞(%FS)长期稳定性(%FS)

PSPR -040k-A/D/G-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05
PSPR -100k-A/D/G-HS-Gxx(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05
PSPR -200k-A/D/G-HS-Gxx(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -350k-A/D/G-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -700k-A/D/G-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -01M0-A/D/G-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -01M6-A/D/G-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -03M5-A/D/G-HS-Gx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -07M0-A-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05

PSPR -10M0-A-HS-Gxx

(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05
PSPR -40M0-A-HS-Gxx(-0.09~-0.05)(-25-25)<0.15<0.1<0.050.05


*@5Vdc 25°C

**-40~125°C


优势特点

  • 高精度压力监测
    高精度压力监测 高精度压力监测
  • 优异的长期稳定性,优于0.05%FS/年
    优异的长期稳定性,优于0.05%FS/年 优异的长期稳定性,优于0.05%FS/年
  • 自主知识产权传感器设计
    自主知识产权传感器设计 自主知识产权传感器设计
  • 小型化 、 MEMS 技术
    小型化 、 MEMS 技术 小型化 、 MEMS 技术
  • 内置温度传感器
    内置温度传感器 内置温度传感器

应用领域

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